auf Bestellung 4006 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 8+ | 6.68 EUR |
| 10+ | 5.62 EUR |
| 50+ | 5.3 EUR |
| 100+ | 4.55 EUR |
| 250+ | 4.29 EUR |
| 500+ | 4.03 EUR |
| 1000+ | 3.38 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PSMN8R5-100PSQ Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PSMN8R5-100PSQ nach Preis ab 3.58 EUR bis 6.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN8R5-100PSQ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 263W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5512 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1371 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
PSMN8R5-100PSQ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN8R5-100PSQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0064 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 1789 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
 |
PSMN8R5-100PSQ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
 |
PSMN8R5-100PSQ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 429A; 263W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 429A Power dissipation: 263W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 111nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
|
|
PSMN8R5-100PSQ | Hersteller : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 429A; 263W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 429A Power dissipation: 263W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 111nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |