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PSMN8R5-40MSDX

PSMN8R5-40MSDX Nexperia USA Inc.


PSMN8R5-40MSD.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
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Technische Details PSMN8R5-40MSDX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0074 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 59W, Bauform - Transistor: LFPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Hersteller : Nexperia PSMN8R5-40MSD-1772144.pdf MOSFET PSMN8R5-40MSD/SOT1210/mLFPAK
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PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN8R5-40MSD.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1322 pF @ 20 V
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PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0009646568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0074 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.12V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0009646568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN8R5-40MSDX - Leistungs-MOSFET, NextPower-S3, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0074 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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PSMN8R5-40MSDX PSMN8R5-40MSDX Hersteller : NEXPERIA psmn8r5-40msd.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin LFPAK EP T/R
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PSMN8R5-40MSDX Hersteller : NEXPERIA PSMN8R5-40MSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 42A; Idm: 239A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 239A
Power dissipation: 59W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PSMN8R5-40MSDX Hersteller : NEXPERIA PSMN8R5-40MSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 42A; Idm: 239A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: NextPowerS3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 239A
Power dissipation: 59W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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