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PSMN8R7-100YSFX

PSMN8R7-100YSFX Nexperia

PSMN8R7_100YSF-1380060.pdf Hersteller: Nexperia
MOSFET PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
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Technische Details PSMN8R7-100YSFX Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 198W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 198W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-100YSFX Hersteller : NEXPERIA 2616981.pdf Description: NEXPERIA - PSMN8R7-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 0.0072 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 198W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
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PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-100YSFX Hersteller : NEXPERIA psmn8r7-100ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-100YSFX Hersteller : Nexperia psmn8r7-100ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-100YSFX Hersteller : Nexperia psmn8r7-100ysf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-100YSFX Hersteller : Nexperia USA Inc. PSMN8R7-100YSF.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tj)
Power Dissipation (Max): 198W
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
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