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PUMB2,115

PUMB2,115 Nexperia USA Inc.

PUMB2.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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Technische Details PUMB2,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PUMB2,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Dauer-Kollektorstrom Ic: -100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 47, Dauer-Kollektorstrom: 100, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200, Polarität des Digitaltransistors: Zweifach PNP, Bauform - Transistor: SOT-363, Bauform - HF-Transistor: SOT-363, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMB2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Widerstandsverhältnis R1/R2: -, Betriebstemperatur, max.: 150, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PUMB2,115 PUMB2,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMB2.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
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PUMB2,115 PUMB2,115 Hersteller : Nexperia PUMB2-3081378.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PUMB2/SOT363/SC-88
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PUMB2,115 PUMB2,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002934971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PUMB2,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Dauer-Kollektorstrom Ic: -100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Polarität des Digitaltransistors: Zweifach PNP
Bauform - Transistor: SOT-363
Bauform - HF-Transistor: SOT-363
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMB2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PUMB2,115 PUMB2,115 Hersteller : NEXPERIA 1514499501898041pemb2_pumb2.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
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PUMB2,115 Hersteller : NXP PUMB2.pdf 2PNP 50V 100mA 300mW PUMB2,115 NXP TPUMB2
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PUMB2,115 Hersteller : NEXPERIA PUMB2.pdf PUMB2.115 PNP SMD transistors
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