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PUMD9,115

PUMD9,115 Nexperia

pemd9_pumd9.pdf Hersteller: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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Technische Details PUMD9,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PUMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD9 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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3000+ 0.049 EUR
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD9.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R
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1091+ 0.14 EUR
1108+ 0.13 EUR
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2482+ 0.054 EUR
2507+ 0.051 EUR
2674+ 0.046 EUR
3000+ 0.043 EUR
6000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 731
PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : NEXPERIA PEMD9_PUMD9.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180...230MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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439+ 0.16 EUR
585+ 0.12 EUR
811+ 0.088 EUR
1107+ 0.065 EUR
1961+ 0.036 EUR
2075+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 295
PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : NEXPERIA PEMD9_PUMD9.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180...230MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 3530 Stücke:
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811+ 0.088 EUR
1107+ 0.065 EUR
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2075+ 0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 295
PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia PUMD9-3081410.pdf Digital Transistors PUMD9/SOT363/SC-88
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286+ 0.18 EUR
1000+ 0.1 EUR
3000+ 0.086 EUR
9000+ 0.065 EUR
24000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 90
PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PUMD9.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 47865 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
40+0.65 EUR
58+ 0.45 EUR
119+ 0.22 EUR
500+ 0.18 EUR
1000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40
PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : NEXPERIA 1759211.pdf Description: NEXPERIA - PUMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD9 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 357 Stücke:
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : NEXPERIA 1759211.pdf Description: NEXPERIA - PUMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD9 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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PUMD9,115 PUMD9,115 Hersteller : NEXPERIA pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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PUMD9,115 Hersteller : NXP PUMD9.pdf NPN/PNP 50V 100mA 300mW PUMD9,115 NXP TPUMD9
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 500