PXN010-30QLJ Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.29 EUR |
| 6000+ | 0.27 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PXN010-30QLJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PXN010-30QLJ nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PXN010-30QLJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V |
auf Bestellung 11803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PXN010-30QLJ | Hersteller : Nexperia |
MOSFET PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33 |
auf Bestellung 10956 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
PXN010-30QLJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
PXN010-30QLJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN010-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.3 A, 0.0087 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0087ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
PXN010-30QLJ | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 10.3A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |