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PXN012-60QLJ

PXN012-60QLJ Nexperia USA Inc.

PXN012-60QL.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
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Technische Details PXN012-60QLJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.7W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Hersteller : Nexperia pxn012-60ql.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
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PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Hersteller : Nexperia pxn012-60ql.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
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PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Hersteller : Nexperia PXN012_60QL-2498674.pdf MOSFET PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
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PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Hersteller : Nexperia USA Inc. PXN012-60QL.pdf Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
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PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Hersteller : Nexperia pxn012-60ql.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
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PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Hersteller : NEXPERIA PXN012-60QL.pdf Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
auf Bestellung 2862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
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Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
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