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Technische Details PXN8R3-30QLJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 11.4, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 12.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 12.5, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote PXN8R3-30QLJ nach Preis ab 0.51 EUR bis 1.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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PXN8R3-30QLJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V |
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PXN8R3-30QLJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 12.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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PXN8R3-30QLJ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 11.4 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 12.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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PXN8R3-30QLJ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V |
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