Produkte > NEXPERIA USA INC. > PXP6R7-30QLJ
PXP6R7-30QLJ

PXP6R7-30QLJ Nexperia USA Inc.


PXP6R7-30QL.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 66.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details PXP6R7-30QLJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm.

Weitere Produktangebote PXP6R7-30QLJ nach Preis ab 0.99 EUR bis 2.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
PXP6R7-30QLJ PXP6R7-30QLJ Hersteller : Nexperia USA Inc. PXP6R7-30QL.pdf Description: PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 66.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 12.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+2.31 EUR
13+ 2.04 EUR
25+ 1.92 EUR
100+ 1.56 EUR
250+ 1.45 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
PXP6R7-30QLJ PXP6R7-30QLJ Hersteller : NEXPERIA PXP6R7-30QL.pdf Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP6R7-30QLJ PXP6R7-30QLJ Hersteller : Nexperia PXP6R7_30QL-1989975.pdf MOSFET MOS DISCRETES
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
PXP6R7-30QLJ PXP6R7-30QLJ Hersteller : NEXPERIA PXP6R7-30QL.pdf Description: NEXPERIA - PXP6R7-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.0057 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
PXP6R7-30QLJ PXP6R7-30QLJ Hersteller : NEXPERIA pxp6r7-30ql.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar