Produkte > ON SEMICONDUCTOR > RFD14N05LSM
RFD14N05LSM

RFD14N05LSM ON Semiconductor

rfd14n05l.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
193+0.82 EUR
202+ 0.75 EUR
500+ 0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 193
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RFD14N05LSM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - RFD14N05LSM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Weitere Produktangebote RFD14N05LSM nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ONSEMI RFD14N05L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+1.08 EUR
95+ 0.76 EUR
100+ 0.72 EUR
750+ 0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 67
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ONSEMI RFD14N05L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
auf Bestellung 211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
67+1.08 EUR
95+ 0.76 EUR
100+ 0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 67
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ON Semiconductor rfd14n05l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
126+1.26 EUR
177+ 0.86 EUR
186+ 0.79 EUR
500+ 0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 126
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : onsemi / Fairchild RFD14N05LSM_D-2320017.pdf MOSFET TO-252AA N-Ch Power
auf Bestellung 14556 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+2.23 EUR
29+ 1.82 EUR
100+ 1.43 EUR
500+ 1.24 EUR
1000+ 1.02 EUR
1800+ 1 EUR
Mindestbestellmenge: 24
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : onsemi rfd14n05lsm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
auf Bestellung 41699 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+2.34 EUR
75+ 1.86 EUR
150+ 1.48 EUR
525+ 1.25 EUR
1050+ 1.02 EUR
2025+ 0.96 EUR
5025+ 0.91 EUR
10050+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 12
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ON Semiconductor rfd14n05l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 3072 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ON Semiconductor rfd14n05l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RFD14N05LSM RFD14N05LSM Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003589474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD14N05LSM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RFD14N05LSM Hersteller : Fairchild Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+1.5 EUR
10+ 1.35 EUR
RFD14N05LSM Hersteller : ON-Semicoductor rfd14n05lsm-d.pdf N-MOSFET 14A 50V 48W 0.1Ω RFD14N05LSM smd TRFD14N05lsm
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
RFD14N05LSM RFD14N05LSM
Produktcode: 21982 		Hersteller : Intersil RFD14N05L_.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252AA
Uds,V: 50
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
JHGF: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
RFD14N05LSM RFD14N05LSM
Produktcode: 119555 		rfd14n05lsm-d.pdf Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar