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RFP50N06

RFP50N06 ON Semiconductor

rfp50n06-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details RFP50N06 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 131W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

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RFP50N06LE RFP50N06LE
Produktcode: 189268 		Hersteller : JSMICRO JSM50N06C_TO-220AB.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
JHGF: THT
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RFP50N06 RFP50N06 Hersteller : Harris Corporation FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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278+2.59 EUR
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RFP50N06 RFP50N06 Hersteller : onsemi / Fairchild RFP50N06_D-2319913.pdf MOSFET TO-220AB N-CH POWER
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RFP50N06 RFP50N06 Hersteller : onsemi rfp50n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020 pF @ 25 V
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5+5.36 EUR
50+ 4.3 EUR
100+ 3.54 EUR
Mindestbestellmenge: 5
RFP50N06 RFP50N06 Hersteller : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 3 Stücke:
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RFP50N06 RFP50N06 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003589218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFP50N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 131W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
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RFP50N06 Hersteller : ON-Semicoductor FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw rfp50n06-d.pdf N-MOSFET 50A 60V 0.022Ω RFP50N06 TRFP50N06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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10+6.73 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RFP50N06 RFP50N06
Produktcode: 25146 		Hersteller : FS RFP50N06.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 0.022
JHGF: THT
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RFP50N06 RFP50N06 Hersteller : ON Semiconductor 3674777080711762rfp50n06.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP50N06 RFP50N06 Hersteller : ON Semiconductor rfp50n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP50N06 RFP50N06 Hersteller : ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RFP50N06 RFP50N06 Hersteller : ONSEMI RFP50N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 131W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 131W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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RFP50N06
Produktcode: 182601 		Hersteller : ON FAIRS45482-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw rfp50n06-d.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
JHGF: THT
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RFP50N06 RFP50N06
Produktcode: 182599 		Hersteller : Harris FAIRS45482-1.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 50 A
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
JHGF: THT
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