RGP30D-E3/54 Vishay General Semiconductor
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Technische Details RGP30D-E3/54 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 150 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote RGP30D-E3/54
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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RGP30D-E3/54 | Hersteller : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 200V 3A 150ns 2-Pin DO-201AD T/R |
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RGP30D-E3/54 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 3A 150ns 2-Pin DO-201AD T/R |
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RGP30D-E3/54 | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 200V 3A 150ns 2-Pin DO-201AD T/R |
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RGP30D-E3/54 | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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