RM24C512C-LSNI-B
RM24C512C-LSNI-B
Hersteller: Dialog SemiconductorEEPROM Serial-2Wire 512K-bit 512Pages x 128 1.8V/2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N Tube
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Technische Details RM24C512C-LSNI-B
Description: IC CBRAM 512K I2C 1MHZ 8SOIC, Memory Interface: I²C, Memory Format: CBRAM®, Technology: CBRAM, Memory Size: 512kb (128B Page Size), Memory Type: Non-Volatile, Part Status: Active, Packaging: Tube, Supplier Device Package: 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V, Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms, Clock Frequency: 1MHz.
Preis RM24C512C-LSNI-B ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Adesto Technologies EEPROM 512K 1.65V EEPROM
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.jpg "RM24C512C-LSNI-B") Hersteller: Adesto Technologies Description: IC CBRAM 512K I2C 1MHZ 8SOIC Memory Interface: I²C Memory Format: CBRAM® Technology: CBRAM Memory Size: 512kb (128B Page Size) Memory Type: Non-Volatile Part Status: Active Packaging: Tube Supplier Device Package: 8-SOIC Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms Clock Frequency: 1MHz
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