RM24C512C-LSNI-B

RM24C512C-LSNI-B

RM24C512C-LSNI-B

Hersteller: Dialog Semiconductor
EEPROM Serial-2Wire 512K-bit 512Pages x 128 1.8V/2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N Tube
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Technische Details RM24C512C-LSNI-B

Description: IC CBRAM 512K I2C 1MHZ 8SOIC, Memory Interface: I²C, Memory Format: CBRAM®, Technology: CBRAM, Memory Size: 512kb (128B Page Size), Memory Type: Non-Volatile, Part Status: Active, Packaging: Tube, Supplier Device Package: 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V, Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms, Clock Frequency: 1MHz.

Preis RM24C512C-LSNI-B ab 0 EUR bis 0 EUR

RM24C512C-LSNI-B
RM24C512C-LSNI-B
Hersteller: Adesto Technologies
EEPROM 512K 1.65V EEPROM
DS-RM24C512C-L_082-1385706.pdf
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RM24C512C-LSNI-B
RM24C512C-LSNI-B
Hersteller: Adesto Technologies
Description: IC CBRAM 512K I2C 1MHZ 8SOIC
Memory Interface: I²C
Memory Format: CBRAM®
Technology: CBRAM
Memory Size: 512kb (128B Page Size)
Memory Type: Non-Volatile
Part Status: Active
Packaging: Tube
Supplier Device Package: 8-SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 5ms
Clock Frequency: 1MHz
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