RM25C256DS-LSNI-B

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Hersteller: Dialog Semiconductor
EEPROM Serial-SPI 256K-bit 512Pages x 64 1.8V/2.5V/3.3V 8-Pin SOIC N Tube
rm25c256ds_086.pdf
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Technische Details RM25C256DS-LSNI-B

Description: IC CBRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC, Supplier Device Package: 8-SOIC, Memory Format: CBRAM®, Clock Frequency: 20 MHz, Technology: CBRAM, Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Non-Volatile, Memory Size: 256kb (64B Page Size), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tube, Memory Interface: SPI, Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 2.5ms, Part Status: Obsolete.

Preis RM25C256DS-LSNI-B ab 0 EUR bis 0 EUR

RM25C256DS-LSNI-B
RM25C256DS-LSNI-B
Hersteller: Adesto Technologies
EEPROM 256K 1.65V-3.6V SPI 20MHz IND TEMP
RM25C256DS_086-1385739.pdf
auf Bestellung 831 Stücke
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RM25C256DS-LSNI-B
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Hersteller: Adesto Technologies
Description: IC CBRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Format: CBRAM®
Clock Frequency: 20 MHz
Technology: CBRAM
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256kb (64B Page Size)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Memory Interface: SPI
Write Cycle Time - Word, Page: 100µs, 2.5ms
Part Status: Obsolete
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