RM6N800TI
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Technische Details RM6N800TI
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220F, Manufacturer: Rectron USA, Packaging: Tube, Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 800V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 50V, Vgs (Max): ±30V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 50V, Power Dissipation (Max): 32.4W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Supplier Device Package: TO-220F, Package / Case: TO-220-3 Full Pack.
Preis RM6N800TI ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Rectron USA Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220F Manufacturer: Rectron USA Packaging: Tube Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8nC @ 50V Vgs (Max): ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 50V Power Dissipation (Max): 32.4W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220F Package / Case: TO-220-3 Full Pack |
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