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Technische Details S1JHE3_A/I Vishay
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote S1JHE3_A/I nach Preis ab 0.052 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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S1JHE3_A/I | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 12pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 1A Reverse recovery time: 1.8µs Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Capacitance: 12pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 7400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 600V 1A Automotive 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 435000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 600V 1A Automotive 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 8050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 600V 1A Automotive 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 600V 1A Automotive 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 8050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1A 600V 40A@8.3ms Single Die Auto |
auf Bestellung 28941 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - S1JHE3_A/I - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 40 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 18240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - S1JHE3_A/I - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.1 V, 1.8 µs, 40 A tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: 1.8µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 18240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 1800ns Automotive 2-Pin SMA T/R |
auf Bestellung 1004012 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S1JHE3_A/I | Hersteller : Vishay |
Diode Switching 600V 1A Automotive 2-Pin SMA T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |