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S1JLS RVG

S1JLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation

S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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Technische Details S1JLS RVG Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123H, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.2A, Supplier Device Package: SOD-123HE, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.

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S1JLS RVG S1JLS RVG Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation S1DLS%20SERIES_H2103.pdf Description: DIODE GP 600V 1.2A SOD123HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123H
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: SOD-123HE
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
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S1JLS RVG S1JLS RVG Hersteller : Taiwan Semiconductor s1dls20series_h2103.pdf Diode Switching 600V 1.2A 2-Pin SOD-123HE T/R
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S1JLS RVG S1JLS RVG Hersteller : Taiwan Semiconductor S1DLS%20SERIES_F1707-1291136.pdf Rectifiers 1A, 600V, GLASS PASSIVATED RECOVERY
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