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S29GL512S10DHI010

S29GL512S10DHI010 Infineon Technologies

Infineon_S29GL01GS_S29GL512S_S29GL256S_S29GL128S_1-3363553.pdf Hersteller: Infineon Technologies
NOR Flash 512 MBIT 3V 100NS Parallel NOR Flash
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Technische Details S29GL512S10DHI010 Infineon Technologies

Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 64-LBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NOR, Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9), Write Cycle Time - Word, Page: 60ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 32M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.

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S29GL512S10DHI010 S29GL512S10DHI010 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (9x9)
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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S29GL512S10DHI010 S29GL512S10DHI010 Hersteller : Infineon Technologies b_gl-s_mirrorbit_tm_flash_parallel_3-datasheet-v20_00-en.pdf NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 32M x 16 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray
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S29GL512S10DHI010 Hersteller : INFINEON (CYPRESS) Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Kind of memory: NOR Flash
Kind of interface: parallel
Anzahl je Verpackung: 260 Stücke
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S29GL512S10DHI010 Hersteller : INFINEON (CYPRESS) Infineon-1_GBIT_(128_MBYTE)_512_MBIT_(64_MBYTE)_256_MBIT_(32_MBYTE)_128_MBIT_(16_MBYTE)_3.0_V_GL-S_FLASH_MEMORY-DataSheet-v19_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campai Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; BGA64; parallel
Case: BGA64
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 512Mb FLASH
Operating voltage: 2.7...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: CFI; parallel
Kind of memory: NOR Flash
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