S29GL512T10TFI010 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 56TSOP
Packaging: Tray
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 56-TSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2634 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2+ | 24.8 EUR |
| 10+ | 22.97 EUR |
| 25+ | 22.45 EUR |
| 40+ | 22.33 EUR |
| 91+ | 19.66 EUR |
| 273+ | 18.68 EUR |
| 455+ | 18.49 EUR |
| 1001+ | 17.88 EUR |
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Technische Details S29GL512T10TFI010 Infineon Technologies
Description: INFINEON - S29GL512T10TFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel, tariffCode: 85423261, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, Flash-Speicher: Parallel-NOR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 512Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.a, Zugriffszeit: 100ns, Versorgungsspannung, nom.: 3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 2.7V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 56Pin(s), Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 3.6V, Schnittstellen: CFI, parallel, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote S29GL512T10TFI010 nach Preis ab 24.65 EUR bis 27.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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S29GL512T10TFI010 | Hersteller : Infineon / Cypress |
NOR Flash Nor |
auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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S29GL512T10TFI010 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - S29GL512T10TFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Parallel-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, CFI, parallel tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Flash-Speicher: Parallel-NOR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.a Zugriffszeit: 100ns Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 56Pin(s) Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.6V Schnittstellen: CFI, parallel Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 878 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL512T10TFI010 | Hersteller : Infineon Technologies |
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 100ns 56-Pin TSOP Tray |
auf Bestellung 1121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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S29GL512T10TFI010 | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Flash Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...3.6V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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S29GL512T10TFI010 | Hersteller : INFINEON (CYPRESS) |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ. Description: IC: FLASH memory; 512MbFLASH; CFI,parallel; TSOP56; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Flash Memory: 512Mb FLASH Interface: CFI; parallel Case: TSOP56 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 2.7...3.6V |
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