Produkte > ONSEMI > SBC848BLT1G
SBC848BLT1G

SBC848BLT1G ONSEMI

BC846ALT1G.PDF Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 150...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1085+0.066 EUR
1675+ 0.043 EUR
12000+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1085
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SBC848BLT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - SBC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BC848, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote SBC848BLT1G nach Preis ab 0.044 EUR bis 0.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SBC848BLT1G SBC848BLT1G Hersteller : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 150...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
auf Bestellung 1085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1085+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 1085
SBC848BLT1G SBC848BLT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.069 EUR
6000+ 0.066 EUR
9000+ 0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SBC848BLT1G SBC848BLT1G Hersteller : onsemi BC846ALT1_D-2310268.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR SPCL TR
auf Bestellung 3675 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
127+0.41 EUR
182+ 0.29 EUR
426+ 0.12 EUR
1000+ 0.073 EUR
3000+ 0.06 EUR
9000+ 0.047 EUR
24000+ 0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 127
SBC848BLT1G SBC848BLT1G Hersteller : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 27327 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
63+0.42 EUR
92+ 0.28 EUR
170+ 0.15 EUR
500+ 0.12 EUR
1000+ 0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 63
SBC848BLT1G SBC848BLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC848
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 33025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SBC848BLT1G SBC848BLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013180198-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SBC848BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC848
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 33025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SBC848BLT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000710672-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SBC848BLT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 668900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)