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SGB30N60 INFINEON


Hersteller: INFINEON

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Technische Details SGB30N60 INFINEON

Description: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/291ns, Switching Energy: 1.29mJ, Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V, Gate Charge: 140 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 41 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A, Power - Max: 250 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SGB30N60
Produktcode: 125330
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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SGB30N60 SGB30N60 Hersteller : Infineon Technologies Description: IGBT, 41A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/291ns
Switching Energy: 1.29mJ
Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A
Power - Max: 250 W
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SGB30N60 SGB30N60 Hersteller : Infineon Technologies infineon_05042021_SGB30N60-2322731.pdf IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 600V 30A
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