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Technische Details SGH80N60UFDTU=
Description: IGBT 600V 80A 195W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 95 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns, Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off), Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 175 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A, Power - Max: 195 W.
Weitere Produktangebote SGH80N60UFDTU=
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SGH80N60UFDTU Produktcode: 36175 |
Hersteller : FAIR |
 Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-3P Vces: 600 Vce: 2 Ic 25: 80 Ic 100: 40 Pd 25: 195 |
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SGH80N60UFDTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 195000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SGH80N60UFDTU | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT 600V 80A 195W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off) Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 175 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A Power - Max: 195 W |
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SGH80N60UFDTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors N-CH/100V/0.58/28A |
Produkt ist nicht verfügbar |