SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.2 EUR |
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| 30000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 190mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1013CX-T1-GE3 nach Preis ab 0.084 EUR bis 1.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI1013CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -450mA Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.19W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI1013CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -450mA Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.19W Case: SC89 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1013CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC89-3 |
auf Bestellung 8837 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI1013CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V |
auf Bestellung 31536 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI1013CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 190mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 190mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI1013CX-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 190mW Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1013CX-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R |
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