SI1022R-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4180 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 177+ | 0.41 EUR |
| 197+ | 0.36 EUR |
| 270+ | 0.27 EUR |
| 285+ | 0.25 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI1022R-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.25ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1022R-T1-GE3 nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.13W Case: SC75A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
auf Bestellung 4180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 3849000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 2985000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
auf Bestellung 29117 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC75A |
auf Bestellung 110570 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 11346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 11346 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |