SI1034X-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI1034X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 190mA; Idm: 0.65A, Mounting: SMD, Case: SC89; SOT563, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 0.28W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.75nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±5V, Pulsed drain current: 0.65A, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.19A, On-state resistance: 10Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI1034X-T1-GE3 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI1034X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V |
auf Bestellung 134141 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI1034X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6 |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI1034X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 190mA; Idm: 0.65A Mounting: SMD Case: SC89; SOT563 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.75nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 0.65A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.19A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI1034X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 6-Pin SC-89 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI1034X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 190mA; Idm: 0.65A Mounting: SMD Case: SC89; SOT563 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.75nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 0.65A Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.19A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET |
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