SI1070X-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI1070X-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 1.2, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 236, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: Trench, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082, Rds(on)-Prüfspannung: 12, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI1070X-T1-GE3 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V |
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SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 1.2 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 236 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55 euEccn: NLR Verlustleistung: 236 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: Trench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082 Rds(on)-Prüfspannung: 12 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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| SI1070X-T1-GE3 |
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| SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 236 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2517 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R |
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| SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A Power dissipation: 236mW Kind of package: reel; tape Case: SC89; SOT563 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 8.3nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6A Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V |
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| SI1070X-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A Power dissipation: 236mW Kind of package: reel; tape Case: SC89; SOT563 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 8.3nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 6A |
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