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Si1078X-T1-GE3

Si1078X-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si1078x.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC89-6
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Technische Details Si1078X-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.02, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240, Bauform - Transistor: SC-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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SI1078X-T1-GE3 SI1078X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3672832.pdf Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.02
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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SI1078X-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 3672832.pdf Description: VISHAY - SI1078X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.02 A, 0.118 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.02
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.118
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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