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Technische Details SI1302DL-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 640mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm.
Weitere Produktangebote SI1302DL-T1-E3 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI1302DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V |
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SI1302DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V |
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SI1302DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V N-CH TRENCH |
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SI1302DL-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1302DL-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 640 mA, 0.41 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 640mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm |
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SI1302DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
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SI1302DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
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SI1302DL-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R |
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SI1302DL-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.6A; Idm: 1.5A; 0.18W; SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.18W Case: SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 480mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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SI1302DL-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.6A; Idm: 1.5A; 0.18W; SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.18W Case: SC70 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 480mΩ Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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