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Technische Details SI1308EDL-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.11 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm.
Weitere Produktangebote SI1308EDL-T1-GE3 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI1308EDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.3W Case: SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 132mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.3W Case: SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 132mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 859 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC70-3 |
auf Bestellung 48261 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 15 V |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.11 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.11 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
auf Bestellung 98267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1308EDL-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.11 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1308EDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 3-Pin SC-70 T/R |
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