Technische Details SI1424EDH-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.027 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.
Weitere Produktangebote SI1424EDH-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1424EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.027 ohm, SOT-363, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
auf Bestellung 1290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
SI1424EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.8W; SC70 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 11.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SC70 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
SI1424EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
SI1424EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; 1.8W; SC70 Drain-source voltage: 20V Drain current: 4A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 11.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SC70 |
Produkt ist nicht verfügbar |