SI1424EDH-T1-GE3

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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1424EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.027 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 400
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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Technische Details SI1424EDH-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V, Vgs (Max): ±8V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-363, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Manufacturer: Vishay Siliconix, Base Part Number: SI1424.

Preis SI1424EDH-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: VISHAY
Material: SI1424EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Material: SI1424EDH-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs (Max): ±8V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-363
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SI1424
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Base Part Number: SI1424
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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