SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI1427EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -8A; 1.8W; SC70, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -2A, Pulsed drain current: -8A, Power dissipation: 1.8W, Case: SC70, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 64mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI1427EDH-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI1427EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6 |
auf Bestellung 2351 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI1427EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1427EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -8A; 1.8W; SC70 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 1.8W Case: SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI1427EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI1427EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; Idm: -8A; 1.8W; SC70 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 1.8W Case: SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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