SI1427EDH-T1-GE3

SI1427EDH-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Material: SI1427EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Technische Details SI1427EDH-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc), Vgs (Max): ±8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI1427, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Supplier Device Package: SC-70-6 (SOT-363), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).

Preis SI1427EDH-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: VISHAY
Material: SI1427EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SC70-6
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SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs (Max): ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI1427
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: SC-70-6 (SOT-363)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Base Part Number: SI1427
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
Manufacturer: Vishay Siliconix
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SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SC70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
Base Part Number: SI1427
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: SC-70-6
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