SI1443EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 3000+ | 0.33 EUR |
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| 9000+ | 0.29 EUR |
| 30000+ | 0.28 EUR |
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Technische Details SI1443EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1443EDH-T1-GE3 nach Preis ab 0.34 EUR bis 1.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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SI1443EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 12V Vgs SC70-6 |
auf Bestellung 30332 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI1443EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V |
auf Bestellung 53872 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI1443EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 13795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1443EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 2.8W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 13795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1443EDH-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI1443EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; SC70 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.8W Case: SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 54mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI1443EDH-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -15A; 1.8W; SC70 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.8W Case: SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 54mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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