SI1443EDH-T1-GE3
SI1443EDH-T1-GE3
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Technische Details SI1443EDH-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363, Base Part Number: SI1443, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Supplier Device Package: SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc), Vgs (Max): ±12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix.
Preis SI1443EDH-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SC-70 T/R
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SI1443EDH-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SI1443EDH-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -30V Vds 12V Vgs SC70-6
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363 Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Part Status: Active FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-363 Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363 Base Part Number: SI1443 Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Supplier Device Package: SC-70-6 Manufacturer: Vishay Siliconix Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs (Max): ±12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Cut Tape (CT)
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auf Bestellung 4432 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363 Base Part Number: SI1443 Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Supplier Device Package: SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc) Vgs (Max): ±12V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Manufacturer: Vishay Siliconix
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