SI1443EDH-T1-GE3

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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1443EDH-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.043 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.8
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.043
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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Technische Details SI1443EDH-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363, Base Part Number: SI1443, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Supplier Device Package: SC-70-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc), Vgs (Max): ±12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Tape & Reel (TR), Manufacturer: Vishay Siliconix.

Preis SI1443EDH-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SC-70 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Material: SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 12V Vgs SC70-6
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Part Status: Active
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (Max): ±12V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-363
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Base Part Number: SI1443
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: SC-70-6
Manufacturer: Vishay Siliconix
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
Base Part Number: SI1443
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package: SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4.3A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Manufacturer: Vishay Siliconix
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