SI1539CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 340mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
auf Bestellung 1889 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 27+ | 0.99 EUR |
| 35+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.46 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI1539CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm, Verlustleistung Pd: 340mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung, p-Kanal: 340mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 340mW, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.323ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI1539CDL-T1-GE3 nach Preis ab 1.13 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1539CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SC70-6 N&P PAIR |
auf Bestellung 32809 Stücke: Lieferzeit 707-721 Tag (e) |
|
||||||
 |
SI1539CDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 17205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
 |
SI1539CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
 |
SI1539CDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm Verlustleistung Pd: 340mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung, p-Kanal: 340mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 340mW Betriebswiderstand, Rds(on): 0.323ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 |
|
auf Bestellung 66000000 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) |
|||||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 700/-500mA Kind of package: reel; tape On-state resistance: 1.7Ω/525mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.34W Polarisation: unipolar Gate charge: 3/1.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC70; SOT363 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 700/-500mA Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||
|
|
SI1539CDL-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 340mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 388mOhm @ 600mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Part Status: Active |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 700/-500mA Kind of package: reel; tape On-state resistance: 1.7Ω/525mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.34W Polarisation: unipolar Gate charge: 3/1.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SC70; SOT363 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 700/-500mA |
Produkt ist nicht verfügbar |