auf Bestellung 47986 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 54+ | 0.97 EUR |
| 64+ | 0.82 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.37 EUR |
| 9000+ | 0.36 EUR |
| 24000+ | 0.34 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI1967DH-T1-E3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W, Type of transistor: P-MOSFET x2, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -1.3A, Pulsed drain current: -3A, Power dissipation: 1.25W, Case: SC70-6; SOT363, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 0.79Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote SI1967DH-T1-E3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1967DH-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
| SI1967DH-T1-E3 |
|
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||
| SI1967DH-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Pulsed drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
|
SI1967DH-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6 |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| SI1967DH-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.3A; 1.25W Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.3A Pulsed drain current: -3A Power dissipation: 1.25W Case: SC70-6; SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.79Ω Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |