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SI2301BDS-T1-E3

SI2301BDS-T1-E3 Vishay


si2301bds.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2301BDS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V.

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SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2301bds.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si2301bds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 6 V
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SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si2301bds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
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SI2301BDS-T1-E3 Hersteller : VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2301bds.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT SI2301CDS-T1-GE3
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SI2301BDS-T1-E3 Hersteller : VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
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