SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23
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Technische Details SI2301CDS-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.

Preis SI2301CDS-T1-E3 ab 0.59 EUR bis 1.41 EUR

SI2301CDS-T1-E3
SI2301CDS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2301CDS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405pF @ 10V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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