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Technische Details SI2302CDS-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V.
Weitere Produktangebote SI2302CDS-T1-E3 nach Preis ab 0.2 EUR bis 0.97 EUR
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 19000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 491627 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-E3 Produktcode: 181529 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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| SI2302CDS-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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