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Technische Details SI2302CDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710mW, Bauform - Transistor: TO-236, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI2302CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.19 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.1A Power dissipation: 0.46W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 57mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 4883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 710mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V |
auf Bestellung 17997 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 297215 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.9 A, 0.045 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm |
auf Bestellung 42852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2302CDS-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV euEccn: NLR Verlustleistung: 710mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY TSI2302cds Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2302CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |