SI2304BDS-T1-BE3

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SI2304BDS-T1-BE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S)
si2304bds-1765922.pdf
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Technische Details SI2304BDS-T1-BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.

Preis SI2304BDS-T1-BE3 ab 1.31 EUR bis 1.74 EUR

SI2304BDS-T1-BE3
Hersteller: Vishay
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SI2304BDS-T1-BE3
Hersteller: Vishay
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SI2304BDS-T1-BE3
SI2304BDS-T1-BE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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