SI2305DS-T1-GE3
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Technische Details SI2305DS-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Power - Max: 1.25W, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245pF @ 4V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide.
Preis SI2305DS-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Power - Max: 1.25W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1245pF @ 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 3.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide 
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