Produkte > VISHAY > SI2306BDS-T1-E3
SI2306BDS-T1-E3

SI2306BDS-T1-E3 Vishay


si2306bd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI2306BDS-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote SI2306BDS-T1-E3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.35 EUR
6000+ 0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si2306bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.48 EUR
6000+ 0.46 EUR
9000+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : VISHAY SI2306BDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
111+0.65 EUR
135+ 0.53 EUR
185+ 0.39 EUR
196+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 111
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : VISHAY SI2306BDS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
111+0.65 EUR
135+ 0.53 EUR
185+ 0.39 EUR
196+ 0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 111
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
214+0.73 EUR
296+ 0.5 EUR
298+ 0.48 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 214
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay si2306bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
174+0.89 EUR
209+ 0.72 EUR
214+ 0.67 EUR
296+ 0.47 EUR
298+ 0.45 EUR
500+ 0.35 EUR
1000+ 0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 174
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si2306bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 15 V
auf Bestellung 14325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+1.43 EUR
22+ 1.22 EUR
100+ 0.85 EUR
500+ 0.66 EUR
1000+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 19
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2306bd.pdf MOSFET 30V 4.0A 0.75W
auf Bestellung 37732 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
36+1.45 EUR
44+ 1.2 EUR
100+ 0.86 EUR
500+ 0.67 EUR
1000+ 0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 36
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013608705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.038 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 18655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013608705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2306BDS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.038 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
auf Bestellung 18655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 Hersteller : Vishay 73234.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)