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Technische Details SI2307CDS-T1-BE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT-23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Si2307CDS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI2307CDS-T1-BE3 nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.19 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI2307CDS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
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SI2307CDS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A/3.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V |
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SI2307CDS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 30V (D-S) |
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SI2307CDS-T1-BE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2307CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 30V, 3.5A, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Si2307CDS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI2307CDS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2307CDS-T1-BE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
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