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Technische Details SI2308BDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote SI2308BDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.06W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 192mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 24037 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.06W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.06W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 192mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 24037 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V |
auf Bestellung 50085 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 326033 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.09W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
auf Bestellung 60383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2308BDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.3 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.09W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
auf Bestellung 60383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2308BDS-T1-GE3 Produktcode: 172429 |
Hersteller : VISHAY |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Uds,V: 50 V Idd,A: 2.3 A Rds(on), Ohm: 0.156 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 190/4,5 |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2308BDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |