SI2308DS-T1-E3
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Technische Details SI2308DS-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
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SI2308DS-T1-E3 Hersteller: SI2308DS MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 
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SI2308DS-T1-E3 Hersteller:
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
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