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Technische Details SI2309CDS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V.
Weitere Produktangebote SI2309CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.28 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 507000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 507000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 8852 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.3A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 8852 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 198806 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm |
auf Bestellung 19367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm |
auf Bestellung 19367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2309CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.36 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
P-MOSFET 60V 1.6A 345mΩ 1.7W SI2309CDS Vishay TSI2309cds Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2309CDS-T1-GE3 Produktcode: 173271 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2309CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |