auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.16 EUR |
| 9000+ | 0.14 EUR |
| 24000+ | 0.13 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI2318CDS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI2318CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.12 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V |
auf Bestellung 102071 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 4.5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1713 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 4.5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1713 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 182246 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V |
auf Bestellung 102071 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.9 A, 0.036 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
auf Bestellung 194150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.9 A, 0.036 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm |
auf Bestellung 194150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2318CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
SI2318CDS-T1-GE3 Produktcode: 148867 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
|