SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
auf Bestellung 26115 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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| 9000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote SI2319CDS-T1-GE3 nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 7128 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 7128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V |
auf Bestellung 26115 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -40V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 96805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 447453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 447453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2319CDS-T1GE3 | p-канальний польовий транзистор SOT-23-3 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2319CDS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |