SI2319CDS-T1-GE3

SI2319CDS-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
P-MOSFET 40V 4.4A 77m? Trans. SI2319CDS-T1-GE3 SOT23 TSI2319cds
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Technische Details SI2319CDS-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI2319, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 20V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.

Preis SI2319CDS-T1-GE3 ab 0.68 EUR bis 0.68 EUR

SI2319CDS-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2319CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 4.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2319CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller:
SI2319CDS-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT-23
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI2319
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595pF @ 20V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
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