SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

Hersteller: VISHAY
Material: SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
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Technische Details SI2319DS-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Active, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs (Max): ±20V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 20V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.

Preis SI2319DS-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2319DS-T1-E3
Hersteller:
SI2319DS P-CHANNEL-FET 3,0A 40V SOT23 RoHSconf
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller:
SI2319DS P-CHANNEL-FET 3,0A 40V SOT23 RoHSconf
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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SI2319DS-T1-E3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Part Status: Active
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 20V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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SI2319DS-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
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