SI2319DS-T1-GE3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2319DS-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Vgs (Max): ±20V.

Preis SI2319DS-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
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auf Bestellung 295978 Stücke
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SI2319DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
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Description: MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Vgs (Max): ±20V
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