SI2323DS-T1-E3

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2323DS-T1-E3

Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 10V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI2323, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236).

Preis SI2323DS-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI2323DS-T1-E3
SI2323DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2323DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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SI2323DS-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SI2323DS-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2323DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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SI2323DS-T1-E3
Hersteller:
SI2323DS P-Channel 20 V 0.039 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-236
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Hersteller:
SI2323DS P-Channel 20 V 0.039 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-236
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2323DS-T1-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V 3.7A 0.039Ohm
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Hersteller: Vishay Siliconix
MOSFET P-Ch, 20V, 3.7A, SOT-23-3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±8V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 10V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI2323
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
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Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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